記者獲悉,福建熔城半導體有限公司項目落戶福州高新區生物醫藥和機電產業園,總投資100億元。

該基地包括世界首個2μ載板級SIP封測及模組商用量產線和各類生產、研發、創新及相關配套設施,計劃分三期建設。

資料圖

一期投資30億元,占地面積約200畝,建筑面積15萬平方米,預計年內開工,完成高端封測和模組制造基地建設。

二期投資50億元,完成第三代半導體外延片建設。

三期投資20億元,完成芯片制造基地建設。

項目建成后,將為各類IC產品提供具有高性價比的先進封測和模組制造及整體解決方案服務,并將持續開發IGBT5G通信MCU汽車電子模組設計、仿真、工藝、測試等先進技術,預計2027年前發展成為世界先進水平的第三代半導體IDM基地。

據了解,一期項目投產5年內將實現銷售收入30億元,繳納稅收6億元;二期、三期項目投產后,實現銷售收入100億元,繳納稅收20億元。(記者 徐文宇 通訊員 黃莉銣)